三星7日宣布，预定2022年上半年开始为客户量产首款3纳米芯片；第二代3纳米将于2023年生产；并于2025年量产2纳米芯片，是第一家释出2纳米量产时间的晶圆代工厂。台积电先前宣布，3纳米预定2022下半年开始量产，三星的脚步似有超前的迹象。

业界分析，三星对先进制程量产时间「比较敢喊」，先前更订下要在今年以内生产的目标，如今又延到明年上半年。相较之下，台积电3纳米已提前于今年3月开始风险性试产，并小量交货，进度优于原先预期，量产时程可望较原先预计的2022年下半年提前，有望拿下苹果、英特尔等大厂订单。

因此，论客户广度、技术扎实度，以及良率稳定度，台积电仍比三星具有优势，三星能否真能在明年上半年开始量产3纳米，并于2025年量产2纳米芯片，仍有待时间验证。但可以确定的是，三星在先进制程以台积电为最大对手、一路紧咬的态势不会改变。

7日，三星通过在线方式举办了第五届三星晶圆论坛（SFF），主题为“再多一维”（Adding One More Dimension），并于会中释出先进制程蓝图。

三星表示，明年上半年把环绕闸极技术（GAA）部署到3纳米，且其3纳米节点发展顺利，能够顺利量产，目前聚焦于维持良率稳定。三星说，相较于采用鳍式场效晶体管（FinFET）架构的5纳米制程，该公司运用多桥通道场效晶体管（MBCFET）架构的3纳米制程，能使芯片面积减少35%、耗能降低50%、效能提高30%。

三星也计划2023年量产第二代3纳米芯片，并从2025年开始，运用第三代GAA架构展开2纳米制程。

台积电则对2纳米量产时间表仍保持神祕，但2纳米建厂计划已逐步明朗，竹科宝山扩建2纳米厂日前已过环评，随着后续行政作业程序逐步依序过关，有助后续建厂用地取得并推进计划。

台积电透露，未来在新竹晶圆12厂邻近的宝山扩建晶圆20厂，依据规划该区域可扩充四期，主要是未来2纳米扩充需求。台积电营运组织资深副总经理秦永沛日前在技术论坛预告，考量3纳米与2纳米研发和生产要有更好效率，原先规划新竹厂区研发中心已改为晶圆12厂第八期与第九期，其中第八期兴建当中计划今年内完成。