台积电与南韩三星的芯片争夺战，将延伸到美国，并展开先进制程较劲。华尔街日报报导，三星计划斥资170亿美元，在德州泰勒市建造在美第二座晶圆代工厂，且外传将切入3奈米制程，制程将超越台积电美国厂，也同样预2024年量产。但专家认为，三星无论是良率、导入客户数都与台积电有很大的落差，短期仍难靠大量投资超越台积电。

三星在美国建第二座晶圆厂

据报道，三星电子周二正式宣布，将投资170亿美元在美国德州兴建先进制程的晶圆厂，强化美国半导体业。

几个月刚服完刑的三星掌门人李在镕最近走访美国，拜会Alphabet皮伽（Sundar Pichai）、亚马逊、微软多家潜在客户后，最后拍板这个投资案。为了吸引三星建厂，泰勒市将在十年内提供三星相当于减税92.5%的物业税优惠，接下来数十年优惠将递减。因为这是联邦政府支持的计划，三星另将拿到其他的税负优惠。

美国商务部部长雷蒙多发布新闻稿说：「扩大在国内生产半导体芯片，是我国国家和经济安定的一大关键。」德州州长艾伯特举行记者会宣这个投资案时表示，此案将创造逾2,000个就业机会，「这座工厂发挥的影响力远超过德州彊界 ，远播全世界」。

三星电子执行长金基南说：「三星在泰勒市增辟新厂后，将为本公司未来另一重大新页立下基础。」

三星电子这座新晶圆厂将落脚离奥斯汀48公里远的泰勒市（Taylot）。在奥斯汀，三星已设有晶圆厂区，员工逾3,000人。新厂将于明年上半年开始动工，预计2024年开始投产。

三星难超越台积电

值得注意的是，三星此举也与台积电较劲意味浓烈。三星选定德州设立新厂，且预定投资170亿美元（约新台币4722亿元），金额高于台积电在亚利桑那州的120亿美元（约新台币3400亿元）投资额，无疑是要大量投注在先进制程技术，以缩短与台积电差距。

依据台积电的规划，美国亚利那桑厂将提供5奈米制程服务，3奈米制程则在台湾接单生产。但稍早台积电总裁魏哲家在法说会，不排除在美国兴建第二座晶圆厂，市场推测，台积电已预留将制程推进至3奈米的伏笔。不过，台积电表示，不对竞争对手发展及美国厂技术布局做任评论，一切以公告为准。

三星此举是否会对台积电接单造成威胁，工研院产科国际所（IEK）研究总监杨瑞临表示，有别于三星将率先导入环绕闸极（GAA）技术，台积电的3奈米生产据点集中在台湾，且采用鳍式场效晶体管（FinFET）架构，显然对自家技术信心十足，且直到2奈米才会导入GAA制程。

杨瑞临指出，三星动作及投资手笔虽大，和台积电在台湾、美国、中国大陆，甚至在日本及德国布建新产能相比，三星短期仍难超越台积电。不过，三星是全球最大存储器制造厂，在愈来愈多的芯片诉求异质整合下，且先进封装技术仍不断变革，三星未来还是有机会，但仍需持续观察。

以赛亚研究公司（Isaiah Research）执行长兼首席分析师曾锐贤（Eric Tseng）说：「三星的良率、生产规模和顾客组合，都需要赶上才行。」然而，三星目前没有像台积电那么庞大的客户组合，生产规模就会小很多。

曾锐贤表示，三星先进制程的初期良率可能约在30%到40%，台积电则可以到60%到70%。到大量生产阶段，三星的良率也会低于台积电。要大幅缩短目前与台积电的差距不是简单的事。

不论三星这项新建案或台积电120亿美元的亚利桑那州厂投资案，都不太可能在短期内解决缺货的问题。不过，这两起投资案可引吸零件供应商跟进设厂，为以美国为中心的芯片生态系奠定根基。