LED是一块电致发光的半导体材料，置于一个有引线的架子上，然后四周用环氧树脂密封，即固体封装，所以能起到保护内部芯线的作用，所以LED的抗震性能好。

发光二极管，是一种固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。

• 采用高散热系数的材料 —— Si作为衬底，散热容易。

• 通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬底，同时反射光子，避免衬底的吸收。

• 导电的Si衬底取代GaAs衬底，具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4倍)，更适应于高驱动电流领域。

• 底部金属反射层，有利于光度的提升及散热。

• 尺寸可加大，应用于High power领域，eg：42mil MB。

• 透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底，其出光功率是传统AS(Absorbable structure)芯片的2倍以上，蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底。

• 芯片四面发光，具有出色的Pattern图。

• 亮度方面，其整体亮度已超过TS芯片的水平(8.6mil)。

• 双电极结构，其耐高电流方面要稍差于TS单电极芯片。

• 芯片工艺制作复杂，远高于AS LED。

• 信赖性卓越。

• 透明的GaP衬底，不吸收光，亮度高。

• 应用广泛。

• 四元芯片，采用MOVPE工艺制备，亮度相对于常规芯片要亮。

• 信赖性优良。

• 应用广泛。

• LPE：Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP

• VPE：Vapor Phase Epitaxy(气相磊晶法) GaAsP/GaAs

• MOVPE：Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有机金属气相磊晶法) AlGaInP、GaN

• SH：GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(单异型结构)GaAlAs/GaAs

• DH：GaAlAs/GaAs Double Heterostructure(双异型结构) GaAlAs/GaAs

• DDH：GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure(双异型结构) GaAlAs/GaAlAs

• 一般亮度：R、H、G、Y、E等

• 高亮度：VG、VY、SR等

• 超高亮度：UG、UY、UR、UYS、URF、UE等

• 不可见光(红外线)：R、SIR、VIR、HIR

• 红外线接收管：PT

• 光电管：PD

• 二元晶片(磷、镓)：H、G等

• 三元晶片(磷、镓、砷)：SR、HR、UR等

• 四元晶片(磷、铝、镓、铟)：SRF、HRF、URF、VY、HY、UY、UYS、UE、HE、UG